RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
54
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
54
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
10.4
Скорость записи, Гб/сек
6.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2259
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link