RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
71
Por volta de -184% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
14.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3232
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link