RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
77
Por volta de -196% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3417
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link