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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
71
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2918
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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