RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2918
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link