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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
71
79
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
79
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
7.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
1651
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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