RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
79
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
79
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1651
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link