RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
71
Por volta de -184% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
17.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3917
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link