RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3917
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link