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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
71
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2768
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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