RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2768
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link