RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
71
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
10.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2055
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link