RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2055
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link