RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
71
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
10.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2594
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link