RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2594
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link