RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
71
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
42
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2595
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link