RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
71
Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
42
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2595
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link