RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
71
Por volta de -154% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2920
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link