RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2920
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link