RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,109.3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
60
Por volta de -161% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,162.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,109.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
3171
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Comparações de RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link