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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Comparar
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2270
2257
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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