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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Compara
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Puntuación global
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2270
2257
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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