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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3409
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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