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PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2478
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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