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PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
74
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
74
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1679
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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