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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3559
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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