RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3706
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link