RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
58
Por volta de 53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
58
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1740
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link