RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2263
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLT8G3D1869DT1TX0. 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link