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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2267
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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