RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3332
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link