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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
27
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
19
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2994
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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