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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3416
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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