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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3117
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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