RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
27
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
20
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3540
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link