RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
27
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3437
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link