Comparação RAM PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

Pontuação geral

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 29

Por volta de 7% menor latência

Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.5 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

14.6 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 10600

Por volta de 1.6 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2274 3488

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns