RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
71
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
71
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1979
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link