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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3895
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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