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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3531
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
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