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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
27
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
19
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3355
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
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