RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
67
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
67
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2042
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link