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PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
60
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
7.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
2.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
60
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
2.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1505
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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