RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
40
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
40
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2972
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link