RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2725
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link