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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
73
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
5.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
73
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
5.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1439
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
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Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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