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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
98
Por volta de 72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
98
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1415
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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