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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
77
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1267
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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