RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3323
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link