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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2302
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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